2011春季応用物理学会
発表資料一覧
川那子 高暢
MIPS 構造による希土類MOS デバイスのEOT スケーリングの検討
Metal-Inserted Poly-Si Stacks in MOS Devices with Rare Earth Oxides for Scaled EOT
佐藤 創志
シリコンナノワイヤトランジスタの電気特性の絶縁膜厚依存性
Electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors as a function of gate oxide thickness
Maimaitirexiati Maimaiti
超薄いHigh-k ゲートスタックMOSFET における電子移動度の劣化
Electron mobility degradation in ultrathin high-k gate stacked MOSFETs
Abudukelimu Abudureheman
バリスティックn
+
-i‒n
+
ダイオードのドレイン領域内のフォノン発生が電子伝導に与える影響
Influence of Heat Generation in Drain of Ballistic n+-i-n+ Diode on Electrons Transport
幸田 みゆき
CVD により形成したCeO
2
の誘電率周波数分散の成長プロセス依存性
Frequency dispersion of permittivity of CVD CeO
2
and it dependence on growth process
李 映勲
バリスティックSi ナノワイヤMOSFET の注入速度の直径依存におけるキャリア縮退の影響
Influence of Carrier Degeneracy on Diameter Dependence of Injection Velocity in Ballistic Si Nanowire MOSFETs
神田 高志
La
2
O
3
/InGaAs MOS キャパシタを用いた熱処理による界面特性の変化
Interface Characteristics of La
2
O
3
/InGaAs MOS Capacitors on annealing condition
小柳 友常
MgO 添加によるLa
2
O
3
MOS キャパシタの電気特性の変化
Electrical Characterization of La
2
O
3
MOS Capacitors with MgO Incorporation
Dou Chunmeng
CeO
2
を用いた抵抗変化型メモリーへのSiバッファー層の効果検討
Investigation of the effect of Si buffer layer in CeO
2
based RRAM Devices
茂森 直登
超平坦界面ショットキーダイオードの形成と電気特性評価
Formation and Electrical Characteristic of Ultraflat Interface Schottky diode
金田 翼
Si/La
2
O
3
/n-Si構造に対するFlash Lamp Annealingの電気特性への影響
The Effect of Flash Lamp Annealing for Si/La
2
O
3
/n-Si Gate Stack
来山 大祐
W 電極/La
2
O
3
絶縁膜界面へのLa-silicate 層挿入による電気特性への影響
Effect of La-silicate Layer Insertion at W/La
2
O
3
Interface on Electrical Property
鈴木 拓也
希土類酸化物キャップLa
2
O
3
MOS デバイスに対する希釈酸素雰囲気熱処理を用いたV
FB
シフトの検討
V
FB
tuning of La
2
O
3
MOS devices with rare-earths oxide capping by using dilute oxygen annealing
小山 将央
Si/SiO
2
コア/シェル型、およびむきだしのSiナノワイヤにおける Niシリサイド成長機構の検討
Mechanism of Ni silicide growth in Si/SiO
2
core/shell and bare Si nanowires
中島 一裕
チャージポンピング法による立体Si 構造の界面準位密度の熱処理温度依存性
Annealing Temperature Dependence of Interface-State Density for the Three-Dimensional Silicon Structures by Charge Pumping Method
久保田 透
high-k/Si 構造における界面準位密度のスペクトル解析
Spectroscopic analysis of interface state density in high-k/Si structure
李蔚
シリコンナノワイヤトランジスタのSubthreshold 特性による界面準位密度の評価
Evaluation of interfacial state density of silicon nanowire field-effect transistors with subthreshold slope measured in various measurement temperatures