2009春 応用物理学会
発表資料一覧
岩井 洋
シリコンナノワイヤＦＥＴ研究の現状とロードマップ作成の考え方
Current Status of Silicon Nanowire FET Research and Concept for the Roadmap Formation
岩井 洋
トップダウンSi ナノワイヤFET の作製法とその電気的特性のサーベイ
A review on fabrication processes of top-down manufactured Si nanowire FETs and their electrical characteristics
名取 研二
SiナノワイヤMOSのコンパクトモデル－バリステイック特性と準バリステイックへの考え方ー
宋 在烈
極薄Si 界面層を挿入したLa
2
O
3
/Ge MIS 構造における界面準位密度低減に関する検討
A study on the reduction of interface trap density in La
2
O
3
/Ge MIS structure with ultrathin interfacial Si layer
佐藤 創志
四端子測定TEG を用いたSi ナノワイヤトランジスタのチャネル内電位の測定
An analysis of voltage drop within channel region with 4-point measurement TEG
幸田 みゆき
CeO
2
/La
2
O
3
積層ゲート絶縁膜のリーク電流特性の膜厚依存性
Gate leakage current suppression of CeO
2
/La
2
O
3
with different thickness ratio
新井 英朗
Si ナノワイヤへのNi シリサイド形成の評価
Ni Silicidation for Si Nanowire
李 映勲
引っ張り歪みSi ナノワイヤの電子構造とバリスティック伝導
Electronic Structures and Ballistic Transport of Strained Silicon Nanowires
中山 寛人
As 注入とSiN 応力膜によるpoly-Si への歪記憶の検討
Study on Strain Memorization of Arsenic Implanted Poly-Si Gate by Annealing Covered with Stressed SiN Film
船水 清永
High-k ゲート絶縁膜を用いたIn
x
Ga
1-x
As MOS 構造の研究
A Study on In
x
Ga
1-x
As MOS Structure with High-k Gate Dielectric
細田 亘
異種金属界面挿入によるNi シリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFET への応用
Schottky Barrier Height Modulation of Ni Silicide by Different Metal Insertion and Its Application to SB-MOSFETs
又野 克哉
Ge 層挿入によるLa
2
O
3
-MOS キャパシタのV
FB
制御
Flat band Voltage Control in La
2
O
3
p-MOS capacitance by Ge layer
小柳 友常
La
2
O
3
デバイスへのSrO 導入による電気特性の変化
Electrical Characterization of La
2
O
3
MOS Devices with SrO Incorporation