2008春 応用物理学会
発表資料一覧
パールハットアヘメト
La
2
O
3
/高濃度n+-Si及びp+-Si基板上のNiシリサイドの熱安定性の違い
Different Thermal Stability Behaviors of Ni-silicide Films on Heavily Doped n+ and p+ Si Substrates
宋 在烈
La シリケート層を界面に用いたhigh-k/Si MOS 構造の電気特性検討
Electrical characterization of high-k/Si MOS structure with interfacial La-silicate layer
舘 喜一
sub-1.0 nm EOT におけるW/La2O3 ゲートスタックnMOSFETの電子移動度解析
Analysis of electron mobility in nMOSFETs with W/La
2
O
3
gate stack down to sub-1.0 nm EOT
足立 学
HfO
2
/La
2
O
3
積層キャパシタにおけるLa
2
O
3
層に依存した界面層成長抑制の効果
Effects of La
2
O
3
layer thickness on growth of interfacial layer for HfO
2
/La
2
O
3
stacked capacitor
岡本晃一
HfO
2
系High-k ゲートMOSFET の電気特性に対するLa2O3 界面層挿入効果
Effects of La
2
O
3
insertion to HfO
2
/Si interface on MOSFET characteristics
上村 英之
熱酸化によるSi ナノワイヤー形状の酸化条件依存性
Configuration of Si Nanowires Fabricated by Thermal Oxidation Depending on Conditions of Oxidation Process
幸田みゆき
CeO
2
/La
2
O
3
積層ゲート絶縁膜の電気特性評価
Electrical properties of CeO
2
/La
2
O
3
gate dielectric film
野口 浩平
Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術
Schottky Barrier Height Control of Ni Silicide by Inserting Er Interlayer
日野 雅文
SiN 応力膜によるSi 基板への歪記憶の検討
Study on Strain Memorization of Si wafer with SiN Film
ダリューシュ ハサンザデ
基板並行方向へのCNT成長制御
Control of the growth direction of CNT parallel to the substrate