2010春 応用物理学会
発表資料一覧
佐藤 創志
Si ナノワイヤトランジスタの電気特性の断面形状依存性
Electrical characteristics of Si nanowire FETs with various cross-sectional sizes
川那子 高暢
酸素添加がW ゲートMOS デバイスの電気特性に与える影響
Effect of oxygen incorporation on electrical characteristics in W gated MOS devices
幸田 みゆき
希土類酸化物をキャップすることによるMOSFET の電気特性の改善
Improvement of electrical properties of MOSFET by rare-earths oxide capping
李 映勲
バリスティックＳｉナノワイヤトランジスタの電気特性の直径依存性
Diameter-Dependent Electrical Properties of Ballistic Silicon Nanowire Transistor
Dariush Zade
界面にLa
2
O
3
絶縁膜層を挿入したHf 系 high-k ゲートMOSFET の評価
Characterization of Hf-based dielectric nMOSFETs with Ultrathin La
2
O
3
layer inserted at the interface
小澤 健児
La
2
O
3
MOSFET へのCeO
x
キャップによる電気特性の改善
Electrical Performance Improvement of La
2O
3
MOSFET with CeO
x
Capping
神田 高志
HfO
2
/La
2
O
3
/In
0.53
Ga
0.47
As 構造の界面特性の変化
Changes in Interface Characteristics of HfO
2
/La
2
O
3
/In
0.53
Ga
0.47
As
小柳 友常
La
2
O
3
MOS デバイスへのアルカリ土類元素キャップによる電気特性の変化
Electrical Characterization of La
2
O
3
MOS Devices with Alkali Earth Elements Capping
茂森 直登
酸化膜中のSi ナノワイヤへのNi 拡散の制御
Suppression of Ni Atom Diffusion into Oxide-Supported Si Nanowire
来山 大祐
EOT=0.5nm に向けたTaSi
2
/La
2
O
3
/CeO
x
ゲートスタック構造の検討
Study on TaSi
2
/La
2
O
3
/CeO
x
Gate Stack toward EOT=0.5 nm