| 発表資料一覧 | |
| イントロダクトリートーク 金山 敏彦（産総研) 平本 俊郎（東大） 岩井 洋 （東工大） |
Si ナノワイヤFETとIII-V/GeチャネルFET技術開発の重要性 |
| 安藤 淳 （NEDO) 河本 滋 （NEDO) |
日本の今後のナノエレデバイス研究の方向 |
| 高木 信一（東大） | Si プラットフォーム上のIII-V/GeチャネルMOSトランジスタ技術 |
| 鳥海 明 （東大） | Ge-CMOSの可能性と課題 |
| 齋藤 真澄（東芝） 沼田 敏典（東芝） |
Siナノワイヤトランジスタにおける寄生抵抗低減技術と3次元応力設計 |
| 平本 俊郎（東大） | シリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度 |
| 山田 啓作（早稲田） 角嶋 邦之（東工大） |
Siナノワイヤの試作とその性能予測（ロードマップ） |
| 名取 研二（東工大） | SiナノワイヤFETのコンパクトモデル |
| 佐野 伸行（筑波大） | SiナノワイヤFETのモンテカルロシミュレーションと多体効果 |
| 白石 賢二（筑波大） 押山 淳 （東大） |
Siナノワイヤのバンド構造解析 |
| 多田 哲也（産総研） | Siナノワイヤフォノンのラマン散乱計測 |
| 西山 彰 （東芝） | 産業界からの日本のナノエレ研究への期待 |