2009秋 応用物理学会
発表資料一覧
岩井 洋
超低消費電力シリコンデバイス技術の重要性
Importance of Ultra-Low Power Silicon Device Technology
岩井 洋
High-kゲート絶縁膜の現状とその将来展望 －希土類系材料を中心として－
Current Status and Future View for High-k Gate Insulator －Focusing on Rare Earth Materials－
名取 研二
準バリスティックなナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル
Compact Model of Quasi-Ballistic Nanowire MOSFETs
Henderianshah Sauddin
ボロン固体ソースを用いたプラズマドーピング法
Plasma Doping Method by Using Solid Source of Boron
Maimaitirexiati Maimaiti
CeO
2
/La
2
O
3
MOSFETにおけるリモートクーロン散乱の移動度に及ぼす影響
Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFET with CeO
2
/La
2
O
3
Gate Stacks
Abudeukelimu Abudureheman
Current-Voltage Characteristics of Ballistic Nanowire FETs by Numerical Simulation
Dariush Hassan Zadeh
High-k ゲート絶縁膜を用いたMOSFETの低周波ノイズ解析
Low-Frequency Flicker Noise of high-k Based Gate Stacks with La
2
O
3
Incorporation
小澤 健児
異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用II
A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer Insertion and Its Application to SB-MOSFETs II
神田 高志
La
2
O
3
, HfO
2
を用いたIn
0.53
Ga
0.47
As MOSキャパシタの電気特性
Electrical Charactoristics of HfO
2
and La
2
O
3
In
0.53
Ga
0.47
As MOS Capacitor
小柳 友常
La
2
O
3
MOS デバイスへのBaOキャップによる電気特性の変化
Electrical Characterization of La
2
O
3
MOS Devices with BaO Capping
澤田 剛伸
La
2
O
3
MOS キャパシタの初期膜厚の違いによる界面Laシリケート膜の形成
Initial thickness dependent La-silicate formation in W/La
2
O
3
/nSi
茂森 直登
2stepアニールを用いた酸化膜中のSiナノワイヤへのNiシリサイド
Ni Silicidation for Si Nanowires covered with oxide by using 2step anneal
向井 弘樹
Si基板面方位の違いによるLa
2
O
3
/Si MOSキャパシタの電気特性の評価
Mos-capacitor Characteristics of La
2
O
3
on Si wafer with different orientations
来山 大祐
La
2
O
3
を用いたMOSキャパシタの高温熱処理の検討
Electrical Characterization of High Temperature Annealed La
2
O
3
MOS Capacitor