2008秋 応用物理学会
発表資料一覧
川那子 高暢
La
2
O
3
/Si 直接接合構造における界面特性の評価
Properties of interfaces in directly deposited La
2
O
3
/Si structure
佐藤 創志
Si Fin のアスペクト比最適化により作製した円形Si ナノワイヤの形状に関する研究
Investigation of Shapes of Cylindrical Si Nanowire with Optimization of Si Fin Aspect Ratio prior to Sacrifice Oxidation
新井 英朗
熱酸化によるSi ナノワイヤの作製とその電気特性
Electrical Characteristics of Si Nanowires Fabricated by Thermal Oxidation
李 映勲
第一原理計算によるシリコンナノワイヤの電子構造解析
Electronic Structure Analysis of Silicon Nanowires by First Principle Calculation
中山 寛人
Ar 注入とSiN 応力膜によるパターン付Si 基板への歪記憶技術の検討
Study on Strain Memorization of Patterned Si Wafer with SiN Film by Argon Implantation
船水 清永
CeO
X
/La
2
O
3
積層ゲート絶縁膜構造の膜特性評価
Properties of CeO
X
/La
2
O
3
gate dielectric film
細田 亘
Er 層界面挿入によるNi シリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFET への応用
Schottky Barrier Height Modulation of Ni Silicide by Er insertion and Its Application to SB-MOSFETs
又野 克哉
Hf 層界面挿入によるNi シリサイドのショットキー障壁変調技術
Schottky Barrier Height Control of Ni Silicide by Inserting Hf Interlayer
小柳 友常
La
2
O
3
系MOSFET へのMg 挿入による電気特性の変化
Electrical characteristic change by Mg insertion to La
2
O
3
based MOSFET