応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
「ゲートスタック研究会ー材料・プロセス・評価の物理ー」（第16回研究会）
発表資料一覧
佐藤 創志
チャネル断面の角に注目したナノワイヤトランジスタの電気特性評価
Effects of corners of channel cross-section on electrical performance of silicon nanowire field-effect transistors
小澤 健児
La
2
O
3
のALD成長のための原料選択:シクロペンタジエニル錯体とアミディネート錯体の比較