岩井/角嶋研ではSiやIII-V半導体を用いた高性能で低消費電力の デバイス、高効率のGaNデバイスの研究を行っています。 また、新材料を用いた抵抗変化型メモリやカーボンデバイス、 トンネルFETの研究も始めています。 理論からデバイス試作、モデリングまで広く研究を行います。