2010秋 応用物理学会
発表資料一覧
名取 研二
コンパクトモデルによるナノスケールMOSFETのキャリヤ輸送
Maimaitirexiati Maimaiti
High-k ゲートスタックMOSFET における電子移動度のリモート界面ラフネス散乱依存性
Dependence of electron mobility of high-k gate stacked MOSFETs on remote interface roughness scattering
幸田 みゆき
CVD 法によるCeO
X
絶縁膜の作製と特性評価
Preparation and characterization of CVD CeOx films
李 映勲
バリスティックナノワイヤトランジスタ性能の太さ依存における状態密度と静電容量のトレードオフ
Trade-off between Density of States and Electrical Capacitance in Size-dependent Performance of Ballistic Nanowire Transistors
小澤 健児
La(iPrCp)
3
を原料としたLa
2
O
3
のALD: Self-limiting 成長条件の明確化
ALD of La
2
O
3
using La(iPrCp)
3
source: identifying the self-limiting growth conditions
Dou Chunmeng
希土類(Ce,Eu)酸化物MIM構造の抵抗スイッチング特性
Resistance switching behaviors in rare earth (Ce, Eu) oxide based MIM structures
呉 研
トンネルFET 動作に向けたNi シリサイド/Si 接触におけるトンネル電流の観測
Observation of tunneling MOSFET operation in MOSFET with NiSi/Si Schottky source/channel contact
金田 翼
Tm-oxide/La
2
O
3
構造ゲート絶縁膜の界面特性評価
Interfacial properties of La
2
O
3
gate dielectric with Tm-oxide capping
細井 隆司
High-k 絶縁膜材料を用いたIn
0.53
Ga
0.47
As MOS キャパシタの電気特性
Electrical Characteristics of In
0.53
Ga
0.47
As MOS CAPs with High-k Gate Dielectric
来山 大祐
高温短時間熱処理を用いた希土類MOS キャパシタへのTiN キャップ効果
TiN Capping Effect on High Temperature Annealed RE-Oxide Capacitors for Scaled EOT
鈴木 拓也
希釈酸素雰囲気熱処理を用いたLa シリケート/Si MOS 構造のV
FB
/V
th
シフトの低EOT への適用
V
FB
/V
th
tuning of La-silicate/Si devices using oxygen annealing process for smaller EOT
小山 将央
窒素導入によるSiナノワイヤ内へのNiシリサイド進入抑制機構の検討
Suppression Mechanism of Ni Silicide Encroachment into Si Nanowire by N
2
Incorporation Method
中島 一裕
チャージポンピング法による立体Si 構造の界面準位密度の評価
Interface-State Density of the three-dimensional Silicon Structures Characterized by Charge Pumping Method