2007秋 応用物理学会
発表資料一覧
宋在烈
La
2
O
3
/Ge MIS 構造における微量Si 界面層導入による電気特性の変化
The effect of ultrathin interfacial Si layer insertion on electrical characteristics of La
2
O
3
/Ge MIS structure
岡本晃一
HfO
2
/Si 界面へのLa
2
O
3
サブモノレイヤー添加による電気特性の変化
Change in electrical characteristics caused by incorporation of La
2
O
3
sub-monolayer at HfO
2
/Si interface
上村 英之
HfO
2
/SiO
2
界面へのSc
2
O
3
添加によるフラットバンド電圧シフト
Flat Band Voltage Shift Caused by Incorporation of Sc
2
O
3
at HfO
2
/SiO
2
Interface
幸田みゆき
Sc
2
O
3
ゲート絶縁膜のリーク電流機構の解析
Analysis of Leakage Current through Sc
2
O
3
Gate Dielectric Film
野口 浩平
極薄Er 層を界面に挿入したNiSi/p-Si ショットキー障壁の熱処理温度依存性
Annealing-Temperature Dependence of NiSi/p-Si Shottky Barrier Height with Thin Er Interlayer
藤澤 宏樹
Sc
2
O
3
Al キャップ層によるW/La
2
O
3
/Si MOS 構造の電気特性への影響
Electrical characteristics of W/La
2
O
3
/Si MOS structure with Al capping layer